SJ 50033.39-1994 半导体分立器件.2CZ106型硅开关整流二极管详细规范
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ID： |
D2A79509A5C04822AA255E89D0A7883D |
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0.45 |
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10 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/39-94,半导体分立器件,2czi06型硅开关整流二极管,详细规范,?Semiconductor discrete device,Detail specification for type 2CZ106 silicon switching,rectifier diode,1994-0%30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CZ106型硅开关整流二极管 SJ 50033/39-94,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2CZ106 silicon switching rectifier diode,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 2czi06型硅开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT、GCT表示,2引用文件,GB 4023-86半导体分立器件 第2部分 整流二极管,GB 6571-86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.I 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范图1的规定,3.2.1 引出端涂层,引出端表面应镀锡。对引出端涂层另有要求时,在合同或订货单中规定（见6.3）,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布 !994.12.01实施,SJ 50033/39-94,3.2.2 器件结构,器件采用玻璃钝化封装。在芯片的两面和引出端之间果用高温冶金健合结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581有D2—1OA型,见图!o,G L >,注;Dン为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度,3.3 最大额定值和主要用特性,3.3.1 最大额定值,注;1) 1\>80セ时,按14.3mA/C的速率綫性降额(见图2),型 号,￥rsm,(V),^RLM,(V),d,Ta = 80C,(A),『FSM,/O=1A,rP= 10ms,TA = 80t,(A),Top,V V,低气压,(Fa),2CZ1O6B 75 50,1 30 - 55 .+ 150 -55-+ 175 1066-5,2CZ1O6C 150 100,2CZ106D 300 200,2czi06E 450 300,2CZ106F 600 400,2czi06G 750 500,2CZ106H 900 600,2CZ106J 1050 700,2CZ1O6K 1200 800,2,下载,SJ 50033/39-94,图2温度降额曲线,3.3.2 主要电特性（Ta = 25匕）,型 号,%,Jfm = 3V,（V）,島,Vr= Vrwm,（心）,“,Vr= Vrwm,Ta =1251,（M）,rr,Jp = 50mA,VF=10V,J?l = 75O,（關）,max max max tiux,2CZ106B,1.65 3 50 3』,2czi06c,2CZW6D,’2CZ106E,2CZ106F,2CZ106G,2CZ106H,2CZ106J,2CZ106K,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4023.GB 6571及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定。型号标志可不限于一行内,制造厂可省略下列标,志: <,a.制造厂的识别;,b.检验批识别代码;,—3 —,SJ 50033/39-94,c.型号命名中的2c部分,3.5.1 极性,器件的负极端应采用鲜明的色带标记,以示出器件的极性,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表I进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除,筛 选,（见 GJB 33 表 2）,测试或试题,3燕冲击除低温为ー55じ外,其余同试验条件F,4恒定加速度不要求,5密封不要求,8电老化7\ = 251?Vr —片处ゆ“工［んf = 50Hz,9a最后测试本规范表1的2分繼jf,ムね1 =初始值的100转或0.3gA,取较大者;,^^FW1= ±0+ IVf,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检製,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量（ム）的要求应按本,规范表4相应步聚的规定,4.4.3 C组检验,C组检験应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量（A）的要求应按本,规范表4相应步聚的规定,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定,4.5.I 稳态工作寿命,在器件的反向施加规定的正弦半波峰值电压,接着在正向施加规定的正弦半波平均整流,电流,整流电流的正向导通角应不大于180,……
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